IGBT芯片缺货或持续至明年上半年

2023-03-24 13:36来源：中国经济网阅读量：10484

本报讯记者陈炳欣报道:近期有关IGBT缺货，价格翻涨的消息，不时被爆出。从前年缺芯潮以来，IGBT作为功率半导体的主要产品之一就呈现供货紧缺的状态，一直延续至今。甚至当其他大多数芯片产品因供需逆转库存高企之际，IGBT的供应状况依然没有好转。

富昌电子2023年2月17日发布的《2023Q1芯片市场行情报告》数据显示，意法半导体、Microsemi、英飞凌等功率半导体大厂的IGBT交货期与2022年第四季度的交期基本保持一致，最长为54周，依旧紧张。据报道，太阳能电池厂商茂迪董事长叶正贤在谈到IGBT缺货情况时表示:“不是价格多高的问题，而是根本买不到。”

IGBT是由双极型三极管和MOSFET组成的复合式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通电阻的优点，输入阻抗、高耐压、低导通压降，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统，如新能源汽车、变频器、开关电源、照明电路、交流电机等。

芯谋研究总监李国强分析指出:“本轮IGBT缺货的主要原因是随着新能源汽车兴起，对高电压需求大增，IGBT成为产业发展焦点。”据悉，一辆电动车使用的IGBT数量高达上百颗，是传统燃油车的七到十倍。与此同时，车用IGBT厂商如英飞凌、安森美等扩产并不及时，不足以满足市场增加的需求。此外，在光伏发电、工业逆变器等领域，IGBT的使用量也持续攀高。李国强预计本轮IGBT缺货仍将持续一段时间，至少到明年上半年供应情况仍然会不断出现逆转。

随着IGBT供需持续紧张，有关宽禁带半导体材料碳化硅替代硅基IGBT的话题也在不断升温。TrendForce集邦咨询预测，至2026年，碳化硅功率器件市场产值可望达到53.3亿美元。主流应用仍倚重电动汽车及再生能源，电动汽车产值可达39.8亿美元，年复合增长率约为38%；再生能源达4.1亿美元，年复合增长率约为19%。

对此，英飞凌科技高级副总裁、汽车电子事业部大中华区负责人曹彦飞表示，碳化硅发展到现在，尤其在高压比如800V的主逆变器上面有越来越多的客户在布局和立项。硅基器件如IGBT，将与碳化硅器件长期并存。当前硅基器件的占比仍然较高，但是碳化硅的中长期发展，仍然被业内人士看好。

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